品牌:芯达茂 | 型号:XD1K4B06***G1G3 | 类型:其他IC |
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深圳市三佛科技有限公司供应XD1K4B06***G1G3 芯达茂 SiC MOS管1400mohm 650V,原装现货
XD1K4B06***G1G3 1400mohm 650V 电源(UPS/移动储能/光伏逆变)
1 | 160mohm 1200V TO-247 3L/4L | XD160B120BV1S3/S5 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) |
2 | 80mohm 1200V | XD080B120AG1S3/S5 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) |
3 | 80mohm 1200V TO-247 3L | XD080B120BV1S3 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) |
4 | 80mohm 1200V TO-247 4L | XD080B120BV1S5 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) |
5 | 40mohm 1200V TO-247 3L | XD040B120BV1S3 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) |
6 | 40mohm 1200V TO-247 4L | XD040B120BV1S5 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) |
7 | 25mohm 1200V TO-247 3L/4L | XD025B120BV1S3/S5 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) |
8 | 16mohm 1200V TO-247 3L/4L | XD016B120BV1S3/S5 | 电动汽车-电机驱动 |
9 | 60mohm 650V TO-247 3L/4L | XD060B065BV1S3/S5 | 电动汽车-电机驱动 |
10 | 30mohm 650V TO-247 3L/4L | XD030B065BV1S3/S5 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) |
11 | 320mohm 650V | XD320B06***G1Z8 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) |
12 | 500mohm 650V | XD500B06***G1G3 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) |
13 | 1400mohm 650V | XD1K4B06***G1G3 | 电源(UPS/移动储能/光伏逆变) |
特性:
SiC MOSFET具有较快的开关速度,这得益于其较低的结电容和较高的热导率。
快速的开关速度使得SiC MOSFET适用于高频开关应用,有助于减小滤波器等无源器件的尺寸,提高功率密度。
6. 热导率
定义:材料传导热量的能力。
特性:SiC的热导***出硅3倍以上,对于给定的功耗,较高的热导率将转化为较低的温升,从而提高器件的可靠性。
7. 其他特性
低增益(低gm):SiC MOSFET的跨导(gm)较低,这意味着其输出-输入增益较低。为了弥补低增益并强制大幅改变漏极电流(ID),需要施加非常大的栅极-源极电压(VGS)。
驱动要求:由于SiC MOSFET的栅极驱动要求独特,设计时需要考虑其导通电阻、栅极电荷(米勒平台区域)和过流(DESAT)保护等动态特性。
应用优势:SiC MOSFET在光伏、风电、电动汽车及轨道交通等中高功率电力系统应用上具有巨大优势,能够突破现有器件性能限制,实现更高效、更紧凑的系统设计。
XD1K4B06***G1G3 芯达茂 SiC MOS管1400mohm 650V 产品供应