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XD1K4B06***G1G3 芯达茂 SiC MOS管1400mohm 650V
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XD1K4B06***G1G3 芯达茂 SiC MOS管1400mohm 650V

深圳市三佛科技有限公司供应XD1K4B06***G1G3芯达茂SiCMOS管1400mohm650V,原装现货

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深圳市三佛科技有限公司供应XD1K4B06***G1G3 芯达茂 SiC MOS管1400mohm 650V,原装现货


XD1K4B06***G1G3   1400mohm 650V 电源(UPS/移动储能/光伏逆变)



1160mohm 1200V TO-247 3L/4LXD160B120BV1S3/S5电源(UPS/移动储能/光伏逆变)
280mohm 1200VXD080B120AG1S3/S5电源(UPS/移动储能/光伏逆变)
380mohm 1200V TO-247 3LXD080B120BV1S3电源(UPS/移动储能/光伏逆变)
480mohm 1200V TO-247 4LXD080B120BV1S5电源(UPS/移动储能/光伏逆变)
540mohm 1200V TO-247 3LXD040B120BV1S3电源(UPS/移动储能/光伏逆变)
640mohm 1200V TO-247 4LXD040B120BV1S5电源(UPS/移动储能/光伏逆变)
725mohm 1200V TO-247 3L/4LXD025B120BV1S3/S5电源(UPS/移动储能/光伏逆变)
816mohm 1200V TO-247 3L/4LXD016B120BV1S3/S5电动汽车-电机驱动
960mohm 650V TO-247 3L/4LXD060B065BV1S3/S5电动汽车-电机驱动
1030mohm 650V TO-247 3L/4LXD030B065BV1S3/S5电源(UPS/移动储能/光伏逆变)
11320mohm 650VXD320B06***G1Z8电源(UPS/移动储能/光伏逆变)
12500mohm 650VXD500B06***G1G3电源(UPS/移动储能/光伏逆变)
131400mohm 650VXD1K4B06***G1G3电源(UPS/移动储能/光伏逆变)


特性:


SiC MOSFET具有较快的开关速度,这得益于其较低的结电容和较高的热导率。


快速的开关速度使得SiC MOSFET适用于高频开关应用,有助于减小滤波器等无源器件的尺寸,提高功率密度。


6. 热导率

定义:材料传导热量的能力。


特性:SiC的热导***出硅3倍以上,对于给定的功耗,较高的热导率将转化为较低的温升,从而提高器件的可靠性。


7. 其他特性

低增益(低gm):SiC MOSFET的跨导(gm)较低,这意味着其输出-输入增益较低。为了弥补低增益并强制大幅改变漏极电流(ID),需要施加非常大的栅极-源极电压(VGS)。


驱动要求:由于SiC MOSFET的栅极驱动要求独特,设计时需要考虑其导通电阻、栅极电荷(米勒平台区域)和过流(DESAT)保护等动态特性。


应用优势:SiC MOSFET在光伏、风电、电动汽车及轨道交通等中高功率电力系统应用上具有巨大优势,能够突破现有器件性能限制,实现更高效、更紧凑的系统设计。









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